Транзисторы - Условное графическое обозначение транзисторов на схемах
Рис. 1 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры n-p-n
На рисунке буква d означает диаметр в мм. 1/3d и 2/3d соответственно треть и две трети от диаметра.
Рис. 2 - Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p
Рис. 3 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
Рис. 4 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
Рис. 5 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным p-каналом обедненного типа
Рис. 6 - Условное графическое обозначение полевого транзистора со встроенным n-каналом обогащенного типа
Рис. 7 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа
Рис. 8 - Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа
Рис. 9 - Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки)
Рис. 10 - Обозначение многоэмиттерного транзистора
Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.
Рис. 11 - Условное графическое обозначение фототранзистора
Источник:
